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黑硅CMOS红外图像传感器通过美国陆军测试

作者:情报信息中心 查看来源网址 浏览 17923次 2013年11月13日 【字号: 】【 打印 】【 收藏
 

美国SiOnyx公司首次发布基于“黑硅” 材料的XQETM系列CMOS红外图像传感器,614,美国陆军夜视技术机构在实验室测试了XQE-1310传感器,证实了在1mLux照度下的成像特性。

黑硅材料偶然诞生于哈佛大学实验室,在六氟化硫氛围下利用高能飞秒激光脉冲照射普通硅晶片,改变硅材料表面的化学性质,同时将硅材料从光滑的、有光泽的晶片转变为拥有纳米结构表面的材料,新材料的表面被数千个排列有序的微刺覆盖。材料表面形态和化学性质的显著变化,使黑硅材料可以吸收几乎所有照射在材料表面的可见光,其光谱响应范围为400-2500nm,覆盖了之前的硅基器件无法探测的光谱范围。2008年,哈佛大学将相关专利转让给SiOnyx公司进行商业化开发。

SiOnyx公司称,XQE系列CMOS红外图像传感器灵敏度比现有解决方案高10倍,并能在极弱光照环境下利用自然界的夜气辉现象工作。XQE系列产品读出噪声极低,动态范围72dB,采用片上高动态范围功能可将动态范围提升至120dB。由“黑硅”材料制成的CMOS红外图像传感器可使用标准CMOS工艺制作,具有低功耗、低暗电流、无需致冷的特点。

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